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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.28: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Magnetotransportmessungen an modulationsdotierten
GaAs/AlGaAs Quantendrähten in V-Gräben — •A. Schwarz, Th. Schäpers, A. Hartmann, M. Bongartz, H. Hardtdegen und H. Lüth — Institut für Schicht- und Ionentechnik (ISI), Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich

Für das Wachstum von GaAs/AlGaAs Quantendrähten in V-Gräben mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) wurden verschiedene neuartige Quellmaterialien verwendet. Hinsichtlich weiterführender Charakterisierungen durch Magnetotransportmessungen erreichten wir eine elektrische Trennung einzelner Strukturen entweder durch polykristalines oder durch selektives Wachstum auf der für die Vorstrukturierung des Substrates notwendigen SiO₂-Ätzmaske. Die morphologische Charakterisierung mittels AFM und TEM zeigte monolagenglattes Wachstum sowie eine deutliche Ausbildung eines Quantendrahtes mit Durchmesser im Bereich zwischen 50 und 100 nm.

Magnetotransportmessungen bei tiefen Temperaturen zeigten Quanten- und Quanteninterferenzeffekte, wie Shubnikov-de-Haas-Oszillationen,
schwache Lokalisierung und universelle Leitfähigkeitsfluktuationen. Messungen bei verschiedenen Magnetfeldwinkeln zum Draht erlauben uns, Aussagen über Ort (Draht, Seitenflanken des V-Grabens) und Art (zweidimensional, eindimensional) des Transportes zu treffen.