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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.30: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Laterale Quantisierung in tiefgeätzten Quantendrähten auf InGaAs/GaAs Heterostrukturen mit barrierennaher Emission — •M. Michel, A. Pecher, W. Höfling und A. Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

Mittels Elektronenstrahllithographie und naßchemischem Ätzverfahren wurden Quantendrähte im InGaAs/GaAs Materialsystem hergestellt. Ausgangsmaterial für die laterale Strukturierung waren Einfachpotentialtöpfe mit einer Emissionsenergie etwa 15 meV unterhalb der Barriere. Die spektrale Halbwertsbreite dieser quasi-zweidimensionalen Schichtstrukturen lag bei etwa 1 meV.
Die optische Charakterisierung der Quantendrähte erfolgte mittels Photolumineszenzspektroskopie bei einer Temperatur von 2 K. Dabei wurden trotz des effektiv flachen Potentialtopfes laterale Quantisierungsenergien bis zu etwa 7 meV beobachtet. Aufgrund der geringen Ausgangshalbwertsbreite der Spektren konnten höhere Subbandübergänge beobachtet werden. Der Subbandabstand liegt für 125 nm breite Drahtstrukturen bei etwa 1.2 meV. Zur Bestimmung des Diffusionsverhaltens der Ladungsträger aus dem Topf und der thermischen Aktivierungsenergie wurden temperaturabhängige Messungen durchgeführt.