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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.34: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Photo- und Elektrolumineszenz von InAs/GaAs-Quantenpunkten — •M.W. Arzberger, M. Hauser, G. Böhm und G. Abstreiter — Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, D-85748 Garching

Quantum Dot-Laser versprechen Verbesserungen gegenüber Quantum Well-Lasern hinsichtlich des Schwellstroms, des differentiellen Gains, des Temperaturverhaltens und der Modulationseigenschaften. Insbesondere als oberflächenemittierende Laser sollten Quantum Dot-Laser herausragende Eigenschaften haben. Im Gegensatz zu lateralen Quantum Dot-Lasern ist hier trotz der inhomogen verbreiterten Gainkurve monomodige Emission unabhängig vom injizierten Strom zu erwarten.
Im Hinblick auf diese Anwendung wurden mittels Molekularstrahlepitaxie InAs/GaAs-Quantenpunkte im Stranski-Krastanow-Modus gewachsen und deren Photo- und Elektrolumineszenz bei Temperaturen von 4K bis 300K untersucht. Außerdem wurden Braggresonatoren mit InAs/GaAs-Quantenpunkten als aktivem Medium realisiert und die Stromabängigkeit der Elektrolumineszenz dieser Strukturen studiert.