Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 22: Poster II
HL 22.5: Poster
Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z
Änderungen der dielektrischen Funktion durch die Nanostruktur des porösen Siliziums — •U. Rossow, U. Frotscher, and C. Pietryga — TU-Berlin, Institut f"ur Festk"orperphysik, PN6-1, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin, Email: urossow@aol.com
Die dielektrische Funktion <є> von porösen Si hängt stark von der Nanostruktur des Silizium-Skeletts ab. In diesem Beitrag diskutieren wir <є> für auf p-dotierten Substraten präparierte poröse Si Schichten. Für hochdotierte Substrate (p+), bei denen die typischen Strukturen mit etwa 20nm groß sind, ähnelt <є> sehr stark dem von Si-Substraten, wobei die Werte durch die Anwesenheit der Poren abgesenkt sind. Die auftretenden spektralen Strukturen, die mit den interbandkritischen Punkten (E0′, E1) und E2 verknüpft sind, sind allerdings durch die Relaxation der k→-Erhaltung in der Nanostruktur stark verbreitert. Die Linienform von <є> von porösen Schichten aus niedrig dotierten Material mit kleineren Strukturgrößen ist deutlich verschieden im Vergleich zu den p+ Schichten. (E0′, E1) ist nur noch als Schulter erkennbar und teilweise stark (>0.2eV) zu höheren Energien verschoben. Das Verschwinden der (E0′, E1) Struktur scheint mit einem Verlust des Vernetzungsgrades in den Schichten einherzugehen. Dagegen bleibt die E2 Struktur erkennbar selbst bei hohen Porositäten. Es treten ableitungsartige Strukturen auf, die wahrscheinlich durch Verspannungen in den Nanostrukturen hervorgerufen werden. Die Verspannungen scheinen dabei sehr groß (>20KBar) zu sein.