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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.53: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Drahtbreitenabh"angigkeit der LO–Phonon Aufspaltung in
CdZnSe/ZnSe Quantendr"ahten — •G. Lermann¹, T. Bischof¹, B. Schreder¹, A. Materny¹, W. Kiefer¹, G. Landwehr², T. K"ummell², G. Bacher², and A. Forchel² — ¹Institut f. Physik. Chemie, Universit"at W"urzburg, Am Hubland, D-97074 W"urzburg — ²Physik. Institut, Universit"at W"urzburg, Am Hubland, D-97074 W"urzburg

Ein mittels Molekularstrahlepitaxie gewachsener CdZnSe/ZnSe Quantenfilm wird durch Elektronenstrahllithographie und naachemischem "Atzen strukturiert, so daa Quantendr"ahte bis in den sub–100 nm Bereich entstehen. Die Proben bestehen aus unterschiedlichen Bereichen, von denen jeder Dr"ahte einer genau definierten Breite enth"alt.

Es wurden Raman Spektren von Drähten unterschiedlicher Breite als Funktion der Temperatur aufgenommen. Durch die Verwendung einer Mikro–Raman Apparatur konnten Bereiche bestimmter Drahtbreite ausgew"ahlt werden. Die Aufspaltung zwischen ZnSe LO–Phonon und ZnSe "ahnlichem LO–Phonon in der CdZnSe Schicht ist nur von der Drahtbreite abh"angig und nicht von der Temperatur. Dieses Verhalten wird durch Verspannungsrelaxation hervorgerufen, die am Rand der Dr"ahte auftritt. Durch den zunehmenden Einflua des Randbereiches bei abnehmender Drahtbreite ergibt sich die Drahtbreitenabh"angigkeit der Phononaufspaltung. Die Ergebnisse zeigen, welche Bedeutung die Verspannungsrelaxation für die Diskussion vibronischer Eigenschaften von nanostrukturierten Halbleitersystemen hat.