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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.59: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

UHV Präparation und Grenzflächencharakterisierung dünner TiO₂- Schichten und ihrer Grenzfläche mit CdTe — •S. Tiefenbacher, C. Pettenkofer und W. Jaegermann — Hahn-Meitner-Institut, Abt. CG, Glienicker Straße 100, 14109 Berlin

Dünne Schichten von TiO₂ wurden auf leitenden Gläsern (ITO, SnO₂) mittels metallorganischer Molekularstrahlepitaxie (MOMBE) aus single source precursorn abgeschieden. Die Filme sind polykristallin und weisen die auch bei Injektionssolarzellen verwendete Anatase-Struktur auf. Dies wird aus in-situ Photoemissions- (XPS, UPS), aber auch aus ex-situ XRD- Messungen geschlossen. Auf frisch präparierte Schichten wurde bei verschiedenen Substrattemperaturen CdTe schrittweise aufgedampft. Aus den Photoemissionsdaten lassen sich neben den chemischen Wechselwirkungen an der Grenzfläche auch die Valenzbandanpassung bestimmen. Die experimentellen Ergebnisse werden mit theoretischen Vorhersagen der Elektronenaffinitätsregel verglichen.