Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.62: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

GaAs/GaSb und Al0.26Ga0.74As/Si Tandem-Konzentratorsolarzellen — •S. Keser¹, A. W. Bett¹, F. Dimroth¹, G. Stollwerck¹ und O. V. Sulima² — ¹Fraunhofer Institut für Solare Energiesysteme, Freiburg — ²Ioffe Institut, St. Petersburg, Rußland

Mechanisch gestapelte GaAs/GaSb und Al0.26Ga0.74As/Si Tandem- Konzentratorsolarzellen können Wirkungsgrade über 30 Die GaAs Solarzellenstrukturen werden mittels eines speziellen Flüssigphasenepitaxie (LPE) Prozesses, dem Etchback-Regrowth Prozeß, gewachsen. Bei den GaSb Solarzellen wird die pn-Struktur mit Zn-Gasphasendiffusion hergestellt. Die Al0.26Ga0.74As Solar- zellenstrukturen werde auf GaAs Substraten durch zwei unter- schiedliche LPE-Prozesse erzeugt. Für die Anwendung in einem Tandem wurden spezielle Technologie- entwicklungen durchgeführt: i) Entfernen des GaAs-Substates unter der photoaktiven Al0.26Ga0.74As-Zelle ii) Optimierung der Vorder- und Rückseiten Antireflexschichten bezüglich des Gesamtwirkungsgrades. GaAs-Solarzellen erzielten Wirkungsgrade von bis zu 24.9 einer Konzentration von 50 x AM1.5d, GaSb-Solarzellen von 9.9 (200 x AM1.5g) und Al0.26Ga0.74As-Solarzellen von 17.1 AM1.5g).