Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.63: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Untersuchungen zur Optimierung von (n) Typ µ c-Si:H Schichten für ihren Einsatz in Heterosolarzellen — •Günter Grabosch¹, Dietmar Borchert¹, Alexander Ulyashin², Reza Hussein¹ und Wolfgang R. Fahrner¹ — ¹Lehrgebiet Bauelemente der Elektrotechnik, FernUniversität Hagen, Haldenerstr. 182, 58084 Hagen — ²Belorussian State Polytechnical Academy, Skariny Ave. 65, 220027 Minsk, Republic of Belarus

Im Hinblick auf ihren Einsatz als Emitterschichten in Heterosolarzellen werden die Einflüsse unterschiedlicher Prozeßparameter auf die Eigenschaften von (n) Typ µ c-Si:H Dünnschichtfilmen untersucht. Die Abscheidung erfolgt durch PECVD bei sehr hoher Frequenz unter Verdünnung des Silans mit Wasserstoff. Als Dotiergas dient Phosphin. Es wird der Einfluß der Dotierung, des Depositionsdruckes, der Depositionstemperatur, der Wasserstoffverdünnung, des Gasangebotes und der Frequenz auf die Leitfähigkeit und die optischen Eigenschaften untersucht. Desweiteren wird der Einfluß einer thermischen Nachbehandlung und die Stabilität bei Lichtbestrahlung der µ c-Si:H Filme untersucht. Abschließend werden die Ergebnisse erster Untersuchungen an einer nichtoptimierten (n)µ c-Si/(p)c-Si Heterosolarzelle gezeigt.