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HL: Halbleiterphysik
HL 22: Poster II
HL 22.72: Poster
Tuesday, March 18, 1997, 15:30–18:30, Z
Untersuchung der Reflexionseigenschaften ballistischer Leitungselektronen in Strukturen, hergestellt durch fokussierte Ionen — •U. Dötsch und A.D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstraße 150, 44780 Bochum
Mittels fokussierter Ga-Ionen lassen sich in AlxGa1−xAs-GaAs- Heterostrukturen kompesationsdotierte Bereiche erzeugen, die als laterale Potentialwälle wirken. Bei tiefen Temperaturen (4.2 K) und Beweglichkeiten von 106 cm2 /Vs erreicht man freie Weglängen von ca. 10 µ m. Somit kann man durch transversale Elektronenfokussierung im ballistischen Bereich die Reflexionseigenschaften der Leitungselektronen an diesen Potentialbarrieren untersuchen. Dabei geht es vor allem darum, wieviel Prozent der Reflexion spiegelnd erfolgt. Durch Anlegen einer Spannung über diese Barriere und der damit verbundenen Verschiebung der Verarmungszone besteht die Möglichkeit, diese Reflexionseigenschaft zu verändern. So wird durch Anlegen einer positiven Spannung die Reflexion veringert, d.h. der spiegelnde Charakter der Barriere abgeschwächt. Dieses geschieht durch verstärkte Streuung an den linienweise implantierten Störstellen.