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HL: Halbleiterphysik
HL 22: Poster II
HL 22.77: Poster
Tuesday, March 18, 1997, 15:30–18:30, Z
Magnetotransportuntersuchungen an koppelnden InGaAs/InP Multi-Quantum-Wells — •O. Jaschinski1, G. Nachtwei2, J. Schoenes1, P. Bönsch3 und A. Schlachetzki3 — 1Inst. f. Halbleiterphysik und Optik, TU Braunschweig, Mendelssohnstr. 3, D-38106 Braunschweig — 2Max-Planck-Institut f. Festkörperforschung, D-70569 Stuttgart — 3Inst. f. Halbleitertechnik, TU Braunschweig, Hans-Sommer-Str. 66, D-38106 Braunschweig
Wir haben das Kopplungsverhalten von δ-dotierten InGaAs/InP Multi-Quantum-Wells (MQW) mit winkelaufgelösten Shubnikov-de-Haas-Messungen (SdH) und Messungen des Tunnelstroms durch die InP-Barrieren in Magnetfeldern bis 14 Tesla untersucht. Der Kopplungsgrad der mittels MOVPE hergestellten MQWs wird über die Dicke der Barriere eingestellt. Die aus den SdH-Messungen ermittelten Fermi-Körper werden mit Minibandstrukturberechnungen nach dem Kronig-Penney-Modell verglichen. Die eingehenden Parameter Band-Offsets und Schichtdicken werden aus Photolumineszenz- und Röntgendiffraktometriemessungen gewonnen. Bei MQWs mit schwacher Kopplung zeigt sich für große parallele Magnetfeldkomponenten B∥ eine deutliche Abweichung des Fermi-Körpers vom theoretischen Verlauf. Dies wird als der Einfluß von B∥ auf das anisotrope 3D-Elektronensystem des MQW interpretiert. Die Einschränkung der Elektronenwellenfunktionen des MQW durch das Magnetfeld führt so zu einer Entkopplung der Quantum-Wells (magnetfeldinduzierter 3D-2D-Übergang).