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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.7: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Herstellung von SiC-Schichten mittels Laser-CVD und gepulster Laserdeposition — •Jens Meinschien, Marco Diegel, Fritz Falk und Herbert Stafast — Institut für Physikalische Hochtechnologie e.V., Helmholtzweg 4, 07743 Jena

Amorphe und kristalline SiC-Schichten wurden auf Silicium, Corning-Glas und Oxid-Einkristallen abgeschieden. Für die direkte und die indirekte Laser-CVD wurde ein ArF-Excimerlaser (193 nm) eingesetzt. Als Silicium- und Kohlenstoffquellen dienten verschiedene Silane und Carbosilane, Acetylen und Tetrachlorkohlenstoff. Für die gepulste Laserdeposition (PLD) wurden verschieden hergestellte SiC-Targets mit einem KrF-Excimerlaser (248 nm) ablatiert. Neben der üblichen PLD kam auch die PLD mit zusätzlicher Laseraktivierung der wachsenden Oberfläche zum Einsatz, wofür ein Teilstrahl des Ablationslasers abgezweigt wurde. Die Schichten wurden mit FTIR-, Raman- und UV-VIS-Spektroskopie sowie mit XRD, EDX und AES charakterisiert.