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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.86: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Elektrische Transporteigenschaften von halbleitenden b-FeSi2 Einkristallen in Abh"angigkeit von der St"ochiometrieabweichung — •Horst Grie"smann¹, G"unter Behr¹, Armin Heinrich¹, Christel Gladun¹, and Horst Lange² — ¹Institut f"ur Festk"orperforschung im IFW Dresden, 01071 Dresden — ²Hahn Meitner Institut Berlin GmbH, Abt. Photovoltaik, 12489 Berlin

Es wurden elektrische Leitf"ahigkeit und Thermokraft halbleitender b-FeSi2 Einkristalle im Temperaturbereich von 30K bis 1200K in Abh"angigkeit von der St"ochiometrieabweichung innerhalb des Homogenit"atsbereiches, von der Reinheit der Ausgangsgsstoffe und damit von der ungewollten Dotierung sowie von der Co-Dotierung untersucht. Die Einkristalle wurden mittels chemischer Gasphasenabscheidung im Temperaturgradient zwischen 1200K und 900K hergestellt. F"ur die undotierten Einkristalle erh"alt man mit zunehmender Reinheit des Eisen von 4N zu 5N einen "Ubergang von p- zu n-Leitung. F"ur die n-leitenden b-FeSi2 Einkristalle ergaben sich Abh"angigkeiten des Transportverhaltens von der St"ochiometrieabweichung innerhalb des Homogenit"atsbereiches. Insbesondere h"angen die Donatorzust"ande sowie die Thermokraft bei tiefen Temperaturen davon ab. Der Beginn der Eigenleitung bei hohen Temperaturen h"angt zus"atzlich von der Co-Dotierung ab.