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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.8: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Reinigung von 6H-SiC(0001) Oberflächen mit UHV-CVD — •B. Mattern, M. Hollering und L. Ley — Institut für Technische Physik, Universität Erlangen-Nürnberg

6H-SiC Kohlenstoff- sowie Silizium-terminierte Oberflächen wurden naßchemisch gereinigt. Anschließend wurden diese unter UHV-Bedingungen, sowie unter Silan-(SiH₄) und Wasserstoff-Fluß bei 10⁻⁵ bis 5×10⁻⁴ mbar angelassen. Die so präparierten Oberflächen wurden jeweils mit XPS (X-Ray Photoelectron Spectroscopy), UPS (Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy) und LEED (Low Energy Electron Diffraction) untersucht. Sauerstoff und Kohlenwasserstoffe, die üblicherweise nach der naßchemischen Reinigung zu beobachten sind, wurden vollständig entfernt. Dabei wurde eine bis zu 1200^∘C stabile Doppellagen Bedeckung mit Silizium beobachtet. Die Doppellage ordnet sich zunächst mit einer (√3×√3)R30^∘-Überstruktur, durch Tempern oberhalb von 900^∘C ergibt sich eine (1×1)-Rekonstruktion. Die Ergebnisse der XPS, UPS und LEED Messungen werden diskutiert.