Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 22: Poster II
HL 22.93: Poster
Tuesday, March 18, 1997, 15:30–18:30, Z
Intersubbandrelaxationszeit in Abhängigkeit von Intensität und Frequenz in multiplen GaAs/GaxAl1−xAs Quantum Well Strukturen — •Joachim Kaiser und Alois Seilmeier — Physikalisches Institut, Universität Bayreuth, Universitätsstr. 30, D-95440 Bayreuth
Die Abhängigkeit der Intersubbandrelaxationszeit in modulationsdotierten GaAs/AlxGa1−xAs
Vielschichtstrukturen von der Anregungsintensität und der Frequenz der Pumpimpulse wird
untersucht. Dazu werden in der Frequenz unabhängig voneinander durchstimmbare
IR-Pump- und Abtast-Impulse in einem Nd:Glas / Travelling Wave Dye Laser System mit
anschließender DFG in GaSe Kristallen erzeugt. Die Impulse haben eine Dauer von ca. 3 ps
und sind in der Wellenlänge von 5 µm bis 10 µm abstimmbar.
In n-modulationsdotierten Proben mit geringer Dotierung steigt die Relaxationszeit monoton mit der Anregungsdichte.
Bei sehr geringen Anregungsdichten findet man bei T=10K und T=300K
die gleichen Relaxationszeiten und das System läßt sich im Rahmen eines 2-Niveau-Systems beschreiben.
Bei hoher n-Dotierung und ansonsten gleichen Probenparametern wird keine signifikante Intensitätsabhängigkeit
gefunden.In beiden Proben nimmt die Zeitkonstante mit zunehmender Abtastfrequenz ab.
Die Ergebnisse werden unter Verwendung selbstkonsistent berechneter Bandstrukturen diskutiert.