Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.99: Poster

Tuesday, March 18, 1997, 15:30–18:30, Z

Die Dynamik von Bandauffüll- und Feldabschirmungseffekten in Low-Temperature-Grown GaAs MSM-Strukturen — •M. Krause¹, S. Tautz¹, S. U. Dankowski¹, H. Seichter¹, P. Kiesel¹, U. D. Keil² und G. H. Döhler¹ — ¹Institut für Technische Physik I, Universität Erlangen-Nürnberg — ²Mikroelektronik Centret, DTU Lyngby, Dänemark

Eine der bemerkenswerten Eigenschaften von GaAs, das bei niedrigen Substrattemperaturen mit Molekularstrahlepitaxie abgeschieden wird (LT-GaAs), ist die extrem kurze Lebensdauer photogenerierter Ladungsträger. Diese liegt im Bereich von 200fs bis 1ps und ist somit ,,pump and probe“ Experimenten gut zugänglich. Das zur Verfügung stehende Lasersystem lieferte 100fs-Pulse für Wellenlängen von 830nm bis 890nm. Mittels differentieller Transmission konnte an Strukturen mit interdigitalen Metallkontakten (MSM-Strukturen) das zeitliche Abklingen von Bandauffülleffekten bei verschiedenen Wellenlängen untersucht werden. Dies liefert Rückschlüsse auf Art und Geschwindigkeit der beteiligten Rekombinations- und Relaxationsprozesse. Bei angelegter Spannung war es zusätzlich möglich die Dynamik von Feldabschirmungseffekten zu beobachten, die durch im Feld getrennte Ladungsträger hervorgerufen werden. Bandauffüll- und Feldabschirmungseffekte lassen sich anhand der Vorzeichen unterscheiden, die je nach Wellenlänge gleich oder entgegengesetzt sind. Besonders im Hinblick auf schnelle Modulatoren ist es interessant den Franz-Keldysh Effekt auf einer ps-Zeitskala zu beobachten.