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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Poster II

HL 22.9: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 15:30–18:30, Z

Neue Ergebnisse der MBE von 3C-SiC-Schichten auf Si(111) — •K. Pfennighaus¹, A. Fissel¹, M. Oehme¹, U. Kaiser¹, J. Kr"au"slich², B. Schr"oter¹, H. Hobert³, G. Peiter³, and W. Richter¹ — ¹FSU Jena, Institut f"ur Festk"orperphysik, M.-Wien-Pl.1, 07743 Jena — ²FSU Jena, Institut f"ur Optik und Quantenelektronik — ³FSU Jena, Institut f"ur Physikalische Chemie, Lessingstr.10, 07743 Jena

SiC ist ein vielversprechendes Material f"ur die Hochtemperaturelektronik. Dabei sind f"ur die Beschichtung Si-Substrate wegen der geringen Kosten und der etablierten Technologie von Interesse. Ein Problem bei der Heteroepitaxie von SiC auf Si stellt der Gittermisfit von etwa 20% dar. Bisher konnten defektarme SiC-Schichten auf Si nur mittels CVD bei T>1200 ^∘C und Schichtdicken >10µm erzielt werden.

Wir berichten "uber die Abscheidung einkristalliner 3C-SiC-Schichten hoher Qualit"at auf Si(111) in der Feststoffquellen-MBE. Durch die Wahl geeigneter Versuchsparameter insbesondere in der Anfangsphase des Wachstums erhielten wir akkurat glatte Grenzfl"achen und eine deutliche Reduzierung der Defekte bereits bei Schichtdicken unter 1µm.

Die Untersuchung der Schichten erfolgte mit in situ RHEED sowie ex situ XRD, IR-Spektroskopie, Ramanspektroskopie, TEM, Elektronenchanneling, LEED und AFM. Die Halbwertsbreite des (111)-SiC-Peaks in der XRD-Rockingkurve betrug bei Schichtdicken unter 1µm 0.1^∘, die D"ampfungskonstante γ aus der IR-Spektroskopie 5 cm⁻¹.