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Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 25: GaN I

HL 25.2: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 10:30–10:45, H1

Ausheilen struktureller Defekte in GaN nach Schwerionenimplantation — •H. Hofsäss1, M. Dalmer1, M. Deicher1, M. Restle1, C. Ronning1, M.D. Bremser2 und R.F. Davis21Universität Konstanz, Postfach 5560, D-78434 Konstanz — 2North Carolina State University, Dept. of Material Science, Raleigh, USA

Wir haben radioaktives 111In bei Raumtemperatur mit einer Energie von 100 keV und einer Dosis von 1013 cm−2 in einkristallines GaN implantiert. Da Indium in GaN substitutionelle Gallium-Plätze besetzt, steht uns eine ideale Sonde zu Verfügung um das Anlaßverhalten des Implantationsschadenes zu studieren. Wir beobachteten mit Hilfe der Emissionschanneling-Methode selbst direkt nach der Implantation substitutionelles Indium, allerdings mit der PAC-Methode stellten wir fest, daß sich die Sonde in einer stark gestörten Umgebung befindet. Nach Anlassen der Proben auf Temperaturen von 600 K bis 900 K zeigen beide Meßtechniken ein Ausheilen der Implantationsdefekte.

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