Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 25: GaN I

HL 25.3: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 10:45–11:00, H1

Optimierung eines Hochtemperatur Gasphasenprozesses zur Herstellung von GaN — •Stefan Fischer, Ferdinand Anders, Ingo Dirnstorfer, Michael Topf und Bruno K. Meyer — I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Gießen, Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Gießen

Das epitaktische Wachstum von GaN wird trotz ausgefeilter Pufferschichten maßgeblich durch das verwendete, artfremde Substratmaterial beeinflußt. Hierbei sind vor allem die verbleibenden tensilen bzw. kompressiven Verspannungen, je nach Substratwahl, zu nennen. Eine Alternative bieten GaN Subtrate, die neben einer aufwendigen Hochtemperatur-Hochdruck Methode auch mit schnellwachsenden Epitaxieverfahren hergestellt werden können. Neben der Chlorhydrid Transportmethode (HVPE) kommt vor allem die von uns verwendete Hochtemperatur Gasphasenepitaxie (HTVPE) dafür in Frage. Mit dieser Methode gelang es bisher GaN auf Al₂O₃ und 6H-SiC mit Wachstumsraten von bis zu 250 µm/h abzuscheiden [1].

In diesem Beitrag wird der Einfluß der Wachstumsparameter auf die Wachstumsgeschwindigkeit sowie die strukturellen und optischen Eigenschaften diskutiert. Erste Ergebnisse von homoepitaktischen Abscheidungen auf diese Schichten werden vorgestellt.

[1] S. Fischer, C. Wetzel, W.L. Hansen, E.D. Bourret-Courchesne, B.K. Meyer, E.E. Haller, Appl. Phys. Lett. 69, 2716 (1996).