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Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 25: GaN I

Thursday, March 20, 1997, 10:15–12:15, H1

10:15 HL 25.1 Molekularstrahlepitaxie von Aluminiumnitrid auf Siliziumkarbid — •S. Karmann, U. Kaiser, J. Kräußlich, G. Peiter, Ch. Schmidt, A. Fissel und W. Richter
10:30 HL 25.2 Ausheilen struktureller Defekte in GaN nach Schwerionenimplantation — •H. Hofsäss, M. Dalmer, M. Deicher, M. Restle, C. Ronning, M.D. Bremser und R.F. Davis
10:45 HL 25.3 Optimierung eines Hochtemperatur Gasphasenprozesses zur Herstellung von GaN — •Stefan Fischer, Ferdinand Anders, Ingo Dirnstorfer, Michael Topf und Bruno K. Meyer
11:00 HL 25.4 Verspannung und Relaxation im Materialsystem (Al In Ga)N — •O. Gfrörer, T. Schlüsener, V. Härle, F. Scholz und A. Hangleiter
11:15 HL 25.5 Tiefe Elektronentraps in MBE-gewachsenem hexagonalem GaN — •A. Krtschil, M. Lisker, H. Witte, J. Christen, S. Einfeldt und D. Hommel
11:30 HL 25.6 Strukturelle Defekte und Störstellen in InGaN — •A. Graber, R. Averbeck, H. Riechert, H. Tews, B.K. Meyer, W. Kriegseis und J. Christen
11:45 HL 25.7 N-K-edge EXAFS Study of Epitaxial GaN Films — •M. Katsikini, E.C. Paloura, M. Fieber-Erdmann, T.D. Moustakas, H. Amano, and I. Akasaki
12:00 HL 25.8 Herstellung von GaN mittels Nitridierung von GaAs mit Ammoniak — •A. Krost, K. Schatke, A. Dadgar, F. Heinrichsdorff, U.W. Pohl, D. Bimberg, H. Siegle, C. Thomsen, T. Hempel und J. Christen
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