Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 26: Grenzflächen/Oberflächen

HL 26.3: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 10:45–11:00, H2

Facettierung von Spaltstufen auf InP(110) bei thermischer Behandlung unter Langmuir-Bedingungen — •M. Heinrich, Ph. Ebert, C. Domke und K. Urban — Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich

Zufällig orientierte Spaltstufen auf (110)-Oberflächen von p-dotiertem Indiumphosphid werden vor und nach thermischer Behandlung im Ultrahochvakuum im Temperaturbereich von 20^∘C bis 350^∘C mit dem Rastertunnelmikroskop untersucht. Bis rund 250^∘C bleibt die Struktur der Stufen unverändert. Gleichzeitige Desorption von Indium und Phosphor im Temperaturbereich zwischen 275^∘C und 350^∘C führt dann zur Ausbildung von Facetten an den Stufenkanten. Es zeigt sich, daß nur ein einziger Stufentyp bevorzugt gebildet wird. Die unter den Langmuir-Bedingungen stabile Stufe ist die Phosphor-terminierte Stufenkante entlang [110]. Die entsprechende Indium-terminierte Stufe ist wie alle anderen Stufenorientierungen unter den vorliegenden Bedingungen instabil. Das Auftreten der Facette wird mit einer elektronischen Stabilisierung durch Rekombination gebrochener Bindungen am Indium nach Desorption des Phosphors erklärt. Konsequenzen für Schichtwachstum mittels Epitaxieverfahren werden diskutiert.