Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 26: Grenzflächen/Oberflächen

HL 26.8: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 12:00–12:15, H2

Wachstum und elektronische Struktur von epitaktischen Grenzflächen zwischen Dy- und Er-Siliziden und Si(111) — •I. Manke¹, T. Kalka¹, H. Wen², S. Vandré¹, M. Dähne-Prietsch¹ und G. Kaindl² — ¹Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — ²Institut für Experimentalphysik, FU Berlin, Arnimallee 14, D-14195 Berlin

Silizide der Lanthanidmetalle sind bekannt für ihr epitaktisches Wachstum auf Si(111) und ihre niedrigen Schottky-Barrieren von 0.3 - 0.4 eV auf n-Si. In dieser Arbeit wurden Wachstum und elektronische Struktur von Dy- und Er-Siliziden auf Si(111) mit STM, LEED und Photoemission bei BESSY untersucht. Bei Wachstum von einigen Atomlagen Dy bzw. Er auf Si(111)7× 7 und anschließendem Tempern auf 500^oC entstehen einkristalline Dy₃Si₅- bzw. Er₃Si₅-Filme mit einer charakteristischen √3× √3- Überstruktur. Die Höhe der Schottky-Barriere dieser Filme, ermittelt aus der Position der Si−2p Rumpfniveaulinie des Substrats, beträgt nur ≅ 0.2 eV für n-Si(111). Dies ist einer der niedrigsten Werte, die bisher für Metalle auf n-Si beobachtet wurden.

Gefördert vom BMBF, Projekt 05 622KEA 2, und der DFG, Projekt Pr289/2-2.