DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Münster 1997 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 26: Grenzflächen/Oberflächen

Thursday, March 20, 1997, 10:15–12:15, H2

10:15 HL 26.1 Wachstum und Grenzflächenzustände in CaF2/Si(111) — •M. Dähne-Prietsch, I. Manke, T. Kalka, H.J. Wen und G. Kaindl
10:30 HL 26.2 Wafer-Direktbonden von Galliumarsenid gegen Saphir: Struktur und Morphologie der Grenzschicht — •P. Kopperschmidt, St. Senz, G. K"astner, D. Hesse, and U. M. G"osele
10:45 HL 26.3 Facettierung von Spaltstufen auf InP(110) bei thermischer Behandlung unter Langmuir-Bedingungen — •M. Heinrich, Ph. Ebert, C. Domke und K. Urban
11:00 HL 26.4 Elektronische Korrelationen auf Halbleiteroberflächen — •Beate Paulus, Peter Fulde und Hermann Stoll
11:15 HL 26.5 Defekte und Defektkomplexe auf und unter GaAs- und GaP-Oberflächen — •G. Schwarz, J. Neugebauer und M. Scheffler
11:30 HL 26.6 Dynamische Lokalisation und Abschirmungseffekte als Erklärung für durch die Oberfläche induzierte optische Anisotropie — •U. Rossow, L. Mantese und D.E. Aspnes
11:45 HL 26.7 Hochaufgelöste Abbildung von Halbleiterstrukturen mit einem Subångstrøm-Transmissionselektronenmikroskop (SATEM) — •M. Haider, E. Schwan, S. Uhlemann, B. Kabius, M. Foschepoth und H. Kohl
12:00 HL 26.8 Wachstum und elektronische Struktur von epitaktischen Grenzflächen zwischen Dy- und Er-Siliziden und Si(111) — •I. Manke, T. Kalka, H. Wen, S. Vandré, M. Dähne-Prietsch und G. Kaindl
100% | Mobile Layout | Deutsche Version | Contact/Imprint/Privacy
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 1997 > Münster