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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Quantendots I

HL 27.1: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 10:15–10:30, H3

Quantenpunktarrays mit reduzierter inhomogener Verbreiterung der optischen Übergänge — •K.H. Wang, M. Michel, A. Pecher, M. Kamp, E. Höfling und A. Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

Mittels Molekularstrahlepitaxie wurden Proben mit InGaAs/GaAs Einzelquantentöpfen mit einem Band-offset von ca. 10 meV hergestellt. Wegen des flachen Potentialtopfes dringt die Wellenfunktion der Ladungsträger tief in die GaAs Barriere ein, und der Einfluß der Grenzflächerauhigkeit auf der Linienbreite der Photolumineszenz wird reduziert. Die Halbwertsbreite der Photolumineszenz einer Mesastruktur beträgt ca. 1 meV. Quantenpunkte mit Durchmessern zwischen 200 nm und 50 nm wurden auf dem Wafer mittels Elektronenstrahllithographie und naßchemischem Ätzen realisiert und mit Photolumineszenzspektroskopie untersucht. Die laterale Quantisierungsenergie kann mit einem Modell gut wiedergegeben werden. Die Linienbreite bleibt konstant bis zu den 50 nm Quantenpunkten, weil die laterale Quantisierung die Energieniveaus näher an das Kontinuum schiebt und zu stärkerer Delokalisierung der Wellenfunktion führt. Der Einfluß der Strukturengrößenfluktuationen auf die Linienbreite ist vernachlässigbar klein. Dadurch konnten Biexzitonen und höhere Subniveaus bei großen Quantenpunkte spektral aufgelöst werden.