Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Quantendots I

HL 27.2: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 10:30–10:45, H3

Direktes Schreiben von GaAs/AlGaAs Nanostrukturen durch lokales Dotieren mit einem fokussierten Laserstrahl — •P. Baumgartner, W. Wegscheider, M. Bichler, G. Schedelbeck, R. Neumann und G. Abstreiter — Walter Schottky Institut der TU München, Am Coulombwall, D-85748-Garching

Mit der Technologie der lokalen laserinduzierten Dotierung können laterale npn-Strukturen mit nahezu beliebiger Geometrie maskenlos geschrieben werden. Durch Ausnutzen nichtlinearer Prozesse werden Strukturgrößen unterhalb der optischen Beugungsbegrenzung erreicht.
In diesem Beitrag werden die Eigenschaften von verschiedenen lateralen Nanostrukturen, die mit dieser Technik hergestellt wurden, diskutiert. Diese Nanostrukturen, wie z.B. Einzelelektronen-Tunneltransistoren oder Aharonov-Bohm Ringe, können über sogenannte In-Plane-Gates elektrostatisch abgestimmt werden. Durch die Verwendung von In-Plane-Gates, die durch p-dotierte Isolationslinien vom Elektronenkanal getrennt werden, ändern sich die physikalischen Eigenschaften deutlich im Vergleich zu Bauelementen, die mit konventionellen Top-Gate Elektroden gesteuert werden.
Bei Einzelektronen-Tunneltransistoren lassen sich durch die geringen Kopplungskapazitäten der Steuerelektroden hohe Ladeenergien von etwa 5meV erreichen. Dadurch werden ausgeprägte Coulomboszillationen auch noch bei Temperaturen über 4.2K beobachtet.