Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Quantendots I

HL 27.3: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 10:45–11:00, H3

Mehrfachschichten aus InP Quantenpunkten — •M. Zundel, P. Specht, Y. N. Phillipp und K. Eberl — MPI für Festkörperforschung, Heisenbergstrasse 1, D-70569 Stuttgart

Bei der Abscheidung von InP auf einer GaInP Pufferschicht mittels MBE bilden sich nach 1.5 Monolagen (ML) kleine Inseln. Für nominell 3.0 ML InP wird eine Inseldichte von 5E10/cm² und -größe von 4 nm Höhe und 16 nm im Durchmesser beobachtet. Eine einzelne Schicht solcher InP Quantenpunkte (QP) wurde in eine auf GaAs gitterangepaßte Laserstruktur aus GaInP (Wellenleiter) und AlInP (Mantelschicht) eingebettet. Optisches Pumpen dieser Struktur zeigt QPlaseraktivität bei Raumtemperatur ab einer Pumpleistung von 25 kW/cm² (A. Moritz et al., Appl. Phys. Lett. 69(2), 212 (1996)). Durch Einführung von mehr laseraktivem Material in Form von Mehrfach-QPschichten soll diese Schwelle weiter gesenkt werden. Es wurden Testproben mit 5 in Wachstumsrichtung gestapelten QPschichten hergestellt. Die strukturellen und optischen Eigenschaften wurden mittels TEM und PL untersucht. Durch geeignete Wachstumsparameter lassen sich Proben mit vertikal angeordneten InP QP herstellen. In Proben mit 5 QPschichten im Abstand von jeweils 8 nm wurde eine PL-Linie bei 1.76 eV mit einer Linienbreite von 41.5 meV bei 10 K beobachtet.