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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Störstellen I

Montag, 17. März 1997, 10:30–13:00, H1

	10:30	HL 2.1	Wasserstoffpassivierung von Cd-dotiertem GaAs und InP — •A. Stötzler, A. Burchard, M. Deicher, R. Magerle und A. Prospero
	10:45	HL 2.2	Bestimmung von absoluten Leerstellenkonzentrationen in Halbleitern mit Hilfe der Positronenannihilation — •Reinhard Krause-Rehberg und Hartmut S. Leipner
	11:00	HL 2.3	Gespeicherte Photoströme in bestrahlten Halbleitern bei 300oK — •D.E. Theodorou, G.E. Zardas, P.C. Euthymiou und Ch.I. Symeonides
	11:15	HL 2.4	GaAs-Antisite-Defekte in GaAs durch Umwandlung von radioaktivem 71AsAs zu stabilem 71GaAs — •R. Magerle, A. Burchard, M. Deicher, D. Forkel-Wirth, A. Prospero und A. Stötzler
	11:30	HL 2.5	Zusammenbruch von Schottky-Kontakten auf mittelohmigem GaAs, induziert durch thermische Emission tiefer Störstellen — •M. Lisker, A. Krtschil, H. Witte, J. Christen, M. Jurisch und U. Kretzer
	11:45	HL 2.6	Long-living Shallow Donor Excited States of GaP:Te — •S. D. Ganichev, I. N. Yassievich, W. Raab, E. Zepezauer, and W. Prettl
	12:00	HL 2.7	Resonanzmodenreplika in den optischen Spektren von Übergangsmetall-Störstellen im GaP — •C. Schrepel, U. Scherz, W. Ulrici und K. Thonke
	12:15	HL 2.8	Untersuchung von Leerstellendefekten in LT-GaAs mit Hilfe der Positronenstrahltechnik — •J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, W. Bauer-Kugelmann, G. Kögel, M. Luysberg und E.R. Weber
	12:30	HL 2.9	EL2-induzierte Reflektionänderung in semi-isolierendem GaAs — •Volker Alex und Jörg Weber
	12:45	HL 2.10	Isolierte Wasserstoff-Moleküle in Galliumarsenid — •Jörg Weber, Jürgen Vetterhöffer und Joachim Wagner