Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: Theorie I

HL 3.9: Talk

Monday, March 17, 1997, 12:30–12:45, H2

Tight-Binding-Rechnung für Exzitonen in Halbleiterheterostrukturen — •H. Dierks und G. Czycholl — Inst. für Theoretische Physik, Universität Bremen; Postfach 330 440; 28334 Bremen

In Quantentrögen gebundene Exzitonen werden üblicherweise mit k · p - Modellen untersucht, wobei axialsymmetrische Näherungen verwendet und die Subbandzustände mit Hilfe der Enveloppe-Funktions- Näherung berechnet werden.

Hier sollen nun die Ergebnisse von Exzitonenrechnungen vorgestellt werden, in denen die Subbandzustände im Rahmen eines 8-Band Tight-Binding-Modells konstruiert wurden, das auch das Hopping zwischen übernächsten Nachbarn enthält. Dieses Modell beschreibt die Bandstruktur von II-VI Zinkblendehalbleitern in der gesamten BZ angemessen und enthält die Anisotropie der Bänder.

Es erlaubt die Einbeziehung der mikroskopischen Struktur der Halbleitermaterialien auf natürliche Weise und ist daher besonders zur Modellierung von Quantentrögen geeignet, die nur wenige Atomlagen dick sind.