Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 30: GaN II

HL 30.12: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 18:15–18:30, H1

Elektronische und vibronische Eigenschaften von GaN auf 6H-SiC — •A. Rizzi¹, D. Freundt², D. Holz², M. Romani¹ und H. Lüth² — ¹INFM-Dip. di Fisica, Università di Modena, via Campi 213/A, I-41100 MODENA, Italien — ²Institut für Schicht- und Ionentechnik (ISI), Forschungszentrum Jülich, D-52425 JÜLICH

Die Oberflächen von 6H-SiC und GaN wurden in-situ mittels Photoelektronenspektroskopie (UPS,XPS), hochauflösender Elektronenenergie verlustspektroskopie (HREELS) und LEED untersucht. Die SiC Substrate wurden naßchemisch vorbehandelt und in einem RTP Ofen bei 1200^∘C oxidiert. Nach einem HF-dip wurden die Substrate im UHV bei 750^∘C getempert. LEED zeigt eine scharfe (1×1) Überstruktur und XPS ergibt einen geringen Anteil von Sauerstoff an der Oberfläche. Nach dem MBE Wachstum von GaN ergeben sich unterschiedliche Rekonstruktionen je nach Oberflächebehandlung des GaN. Mit abnehmendem N zu Ga Verhältnis an der Oberfläche erfolgt ein Übergang von einer (1×1) zu einer (3×3) Rekonstruktion. Dementsprechend zeigt das HREEL Spektrum im IR-Energiebereich neben dem Fuchs-Kliewer-Phonon von GaN bei 86.5 meV eine zusätzliche Schwingungsbande bei 54 meV für die (1×1)− und bei 44 meV für die (3×3)−Oberfläche. Im höheren Energiebereich wurden elektronischen Interbandübergänge von GaN mit HREELS untersucht.