Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 30: GaN II

HL 30.13: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 18:30–18:45, H1

Leuchtdioden auf GaN-Basis, hergestellt mit MBE und MOVPE — •M. Mayer, C. Kirchner, A. Pelzmann, M. Schauler, F. Eberhard, M. Kamp, P. Unger und K.J. Ebeling — Abt. Optoelektronik, Universität Ulm

Homo- und Doppelheterostruktur-Leuchtdioden auf Basis von Nitriden wurden sowohl mit MBE, als auch mit MOVPE realisiert. Detaillierte Ergebnisse zu Elektrolumineszenz, Photolumineszenz und pn-Kennlinien werden in Abhängigkeit vom Strukturaufbau gezeigt und diskutiert. Mit einer Erhöhung des Indiumgehaltes innerhalb der aktiven Zone (InGaN) beobachtet man eine Vergrößerung der Elektrolumineszenzwellenlänge. Die Emission der Doppelheterostrukturen liegt im Bereich von 420-470 nm. Die Schleusenspannungen dieser pn-Dioden betragen ca. 4V, typische Sperrspannungen sind ungefähr -10V. Die p-Dotierung dieser Dioden wurde unter Verwendung von elementarem Mg sowie der metallorganischen Mg-Quelle (Cp₂Mg) erzielt, wobei die freien positiven Ladungsträger bei ca. 5· 10¹⁷cm⁻³ liegen. Die typische n-Hintergrunddotierung von 1· 10¹⁷cm⁻³ wird durch den Einbau von Si bis zu einer freien Elektronenkonzentration von 1· 10¹⁹cm⁻³ erhöht. Die Abstrahlcharakteristik der Leuchtdioden ist vom verwendeten Bauelementedesign abhängig.