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Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 30: GaN II

HL 30.3: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 16:00–16:15, H1

Elektrische Eigenschaften von dotierten und undotierten GaN und AlxGa1xN — •Roman Dimitrov, Helmut Angerer, Oliver Ambacher und Martin Stutzmann — Walter Schottky Institut, Am Coulombwall, D-85748 Garching

Epitaktische GaN, AlxGa1xN Schichten sowie Heterostrukturen wurden mittels PIMBE hergestellt. Mit den Dotierstoffen Mg und Si wurden GaN Filme mit bis zu 2×1018 cm3 Löcherkonzentration bzw. 5×1019 cm 3 Elektronenkonzentration bei Raumtemperatur realisiert. Die elektrischen Eigenschaften von undotiertem AlxGa1xN, sowie die Möglichkeiten zu seiner Dotierung mit Si und Mg wurden mit temperaturabhängigen Hall- und Leitfähigkeitsmessungen untersucht. Einfache GaN/AlGaN sowie GaN/AlGaN/GaN/AlGaN Heterostrukturen wurden für die Herstellung von HEMT’s mit optischer Lithographie und RIE strukturiert. Vorgestellt werden die Transistorkennlinien sowie ihr Temperaturverhalten.

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