Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 30: GaN II

HL 30.4: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 16:15–16:30, H1

Lasergestützte Epitaxie von AlN auf Si, Saphir und SiC — •Gudrun Henn und Helmut Schröder — Deutsche Forschungsanstalt für Luft- und Raumfahrt e.V., Pfaffenwaldring 38-40, 70569 Stuttgart

Als Cladding-Layer, Buffer-Layer und Barriere für kurzwellige Halbleiter LEDs und LDs aus III-V-Nitriden sind AlN und AlGaN von großsem Interesse. AlN-Schichten wurden durch lasergestützte Epitaxie hergestellt. Als Ausgangmaterialien werden ausschließslich Aluminium und Stickstoff verwendet. Das Aluminium-Target wird unter Stickstoff- zufuhr,bei einem Druck von ca. 10-2 mbar, mit Kurzzeit-Pulsen (200fs/800nm bzw. 30ps/1064nm) ablatiert. Als Substrate werden neben Si (100) vorrangig Saphir (0001) und 6H-SiC (0001) verwen- det. Eine Charakterisierung der erzeugten Schichten erfolgt mittels Rasterelektronenmikroskop, EDX, XRD, Ramanspektroskopie und Photo- lumineszens. Der Wachstumsmechanismus wird durch Betrachtung der Oberflächenstrukturen im UHV-STM/AFM untersucht. Einflüsse von Laser-Leistungsdichte, Substrat-Temperatur, Stick- stoff-Flußs und der verschiedenen Substrate auf die Schichtquali- tät werden diskutiert.