Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 30: GaN II
HL 30.7: Vortrag
Donnerstag, 20. März 1997, 17:00–17:15, H1
Kathodolumineszenzmikroskopie von hexagonalen GaN-Schichten — •F. Bertram1, T. Hempel1, P. Veit1, J. Christen1, S. Fischer2, B. Mayer2, S. Einfeldt3 und D. Hommel3 — 1Institut für Experimentelle Physik, Otto–von–Guericke–Universität Magdeburg, Uni-Pl. 5, D-39106 Magdeburg — 21. Physikalisches Institut, Justus–Liebig–Universität Gießen, H.-Buff-Ring 16, D-35392 Gießen — 3Intstitut für Festkörperphysik, Universität Bremen, PSF 330 440, D-28334 Bremen
Hexagonale GaN-Schichten die mittels high temperature vapor phase epitaxy (HTVPE), und low pressure CVD (LPCVD) auf (0001)– und (01-12)–Saphir Substrat abgeschieden wurden, sowie GaN-MBE-Schichten auf (0001)-Saphir wurden mittels hoch–ortsaufgelöster Kathodolumineszenzmikroskopie (CL) untersucht. Die CL-Intensitätsbilder zeigen lokale Fluktuationen in der Quantenausbeute und liefern ein Abbild des Versetzungsnetzwerks in GaN. Mittels CL-wavelength images (CLWI) wird ein Rasterbild der lokalen Emissionswellenlänge bestimmt und somit u.a. die lokale Verspannung bzw. Verspannungsrelaxation in der GaN-Schicht bzw. den GaN-Kristalliten abgebildet. Unterschiedliche Verspannungszustände von C– und A–Flächen der GaN-Kristallite werden direkt abgebildet. Versetzungslinien des hexagonalen GaN-Kristalls und die von dort lokal emittierte extrinsiche Lumineszenz werden identifiziert. Die CLWI und CLI-Ergebnisse werden mit der an TEM- und AFM-Messungen bestimmten Realstruktur korrelliert.