Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 30: GaN II

HL 30.9: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 17:30–17:45, H1

Strukturierte und freitragende GaN Schichten hergestellt mittels Laser-induzierter Dekomposition — •M. K. Kelly, O. Ambacher, R. Dimitrov, H. Angerer, R. Handschuh und M. Stutzmann — Walter Schottky Institut, TU-München, Am Coulombwall, 85748 Garching

Es werden Methoden zum Ätzen, Strukturieren,und zur Fertigung von freitragenden Nitridschichten vorgestellt. Mit Hilfe kurzer Laserpulse wird GaN erhitzt und zur Dekomposition gebracht, wobei Stickstoff gasförmig entweicht und das entstehende Ga mit HCl entfernt werden kann. Weil die Wärme mit kurzen Pulsen erzeugt wird, ist eine hohe örtliche Auflösung erreichbar. Mit einem Puls eines verdreifachten Nd:YAG Lasers sind Gräben bis zu 80 nm Tiefe und Gitter mit Perioden von 250 nm hergestellt worden. Der optisch induzierte Mechanismus kann auch zur Dekomposition von internen Grenzflächen und Opferschichten eingesetzt werden. Hierdurch konnten freitragende GaN Schichten und Bauelemente produziert werden. Neben den erzielten experimentelle Resultaten wird die Anwendbarkeit des Verfahrens zur Herstellung von DFB Lasern vogestellt.