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HL: Halbleiterphysik
HL 30: GaN II
Donnerstag, 20. März 1997, 15:30–19:30, H1
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15:30 | HL 30.1 | Bildung und Stabilität von Akzeptor-Wasserstoff-Paaren in GaN — •A. Burchard, M. Deicher, D. Forkel-Wirth, E.E. Haller, R. Magerle, A. Prospero und A. Stötzler |
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15:45 | HL 30.2 | RTM-angeregte und spektral aufgelöste Lumineszenz von epitaktischen GaN-Schichten — •M. Ortsiefer, P. Radojkovic, M. Topf, M. Schwartzkopff und E. Hartmann |
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16:00 | HL 30.3 | Elektrische Eigenschaften von dotierten und undotierten GaN und AlxGa1−xN — •Roman Dimitrov, Helmut Angerer, Oliver Ambacher und Martin Stutzmann |
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16:15 | HL 30.4 | Lasergestützte Epitaxie von AlN auf Si, Saphir und SiC — •Gudrun Henn und Helmut Schröder |
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16:30 | HL 30.5 |
Bandkantennahe Photolumineszenz von kubischen GaN/GaAs Epitaxieschichten — •D.J. As, F. Schmilgus, C. Wang, B. Schöttker, D. Schikora und K. Lischka |
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16:45 | HL 30.6 | Druckuntersuchungen lokalisierter Defekte in GaN — •C. Wetzel, J.W. Ager III, E.E. Haller, W.G. Perry und R.F. Davis |
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17:00 | HL 30.7 | Kathodolumineszenzmikroskopie von hexagonalen GaN-Schichten — •F. Bertram, T. Hempel, P. Veit, J. Christen, S. Fischer, B. Mayer, S. Einfeldt und D. Hommel |
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17:15 | HL 30.8 | Effektive Massen und Valenzband-Aufspaltungen in GaN und AlN — •J.A. Majewski, M. Städele und P. Vogl |
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17:30 | HL 30.9 | Strukturierte und freitragende GaN Schichten hergestellt mittels Laser-induzierter Dekomposition — •M. K. Kelly, O. Ambacher, R. Dimitrov, H. Angerer, R. Handschuh und M. Stutzmann |
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17:45 | HL 30.10 | Diffusion von Ga und N Adatomen auf GaN (001) Oberflächen — •Tosja Zywietz, Jörg Neugebauer und Matthias Scheffler |
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18:00 | HL 30.11 | MBE Wachstum von GaN auf SiC und Saphir — •D. Freundt, D. Holz, M. Romani, A. Rizzi, G. Crecelius, D. Guggi, H. Lüth, B. Neubauer und D. Gerthsen |
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18:15 | HL 30.12 | Elektronische und vibronische Eigenschaften von GaN auf 6H-SiC — •A. Rizzi, D. Freundt, D. Holz, M. Romani und H. Lüth |
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18:30 | HL 30.13 | Leuchtdioden auf GaN-Basis, hergestellt mit MBE und MOVPE — •M. Mayer, C. Kirchner, A. Pelzmann, M. Schauler, F. Eberhard, M. Kamp, P. Unger und K.J. Ebeling |
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18:45 | HL 30.14 | Polaritoneneigenschaften von GaN-Epischichten — •A. Göldner, L. Eckey, A. Hoffmann, I. Broser und K. Hiramatsu |
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19:00 | HL 30.15 | Strahlende Lebensdauer von Exzitonen in GaInN/GaN-Quantenfilmen — •J. S. Im, F. Steuber, V. Härle, F. Scholz und A. Hangleiter |
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19:15 | HL 30.16 | Herstellung und Untersuchung von optisch gepumpten GaInN-DFB-Lasern — •V. Wagner, R. Hofmann, H.–P. Gauggel, H. Bolay, F. Scholz und H. Schweizer |