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HL: Halbleiterphysik

HL 31: Transport in Halbleitern

HL 31.13: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 18:30–18:45, H4

Spinabhängiger Transport in a-Si:H Schottky - Dioden — •C. Lerner¹, K. Lips² und W. Fuhs² — ¹FB Physik und WZMW, Philipps-Universität, Renthof 5 , 35032 Marburg — ²Hahn-Meitner-Institut, Rudower Chaussee 5, 12489 Berlin

Wir haben die spinabhängige Rekombination in a-Si:H Schottky-Dioden mit Hilfe der elektrisch detektierten magnetischen Resonanz (EDMR) untersucht. Der Dunkelstrom von Schottky-Dioden wird im wesentlichen durch Majoritätsladungsträger bestimmt und sollte daher keine EDMR Signale zeigen, die einem Rekombinationsprozess zuzuordnen sind. Im Widerspruch hierzu finden wir ein Signal bei g=2.0051, welches durch strahlungslose Übergänge von Elektronen in neutrale dangling bonds (e-db) entsteht. Im Gegensatz zu a-Si:H Filmen wächst die Signalintensität mit steigender Temperatur an. Wir diskutieren verschiedene Transportmodelle, um dieses ungewöhnliche Verhalten zu erklären. Im Photostrom finden wir zusätzlich zur oben erwähnten e-db Linie einen Beitrag der Löcher-Linie, die im gesamten Meßbereich von 200K - 300K sichtbar ist. Auch hier werden die Signale der strahlungslosen Rekombination über Defekte zugeordnet. Wir zeigen, daß die Signalintensität der e-db Linie bei homogen absorbiertem Licht ein Maß für die innere Quantenausbeute Q ist und daher einem dominanten Rekombinationskanal zuzuordnen ist.