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HL: Halbleiterphysik

HL 31: Transport in Halbleitern

HL 31.6: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 16:45–17:00, H4

Stoßionisation und Hochfeldtransport in ZnS — •Martin Reigrotzki, Niels Fitzer und Ronald Redmer — Universität Rostock, Fachbereich Physik, Universitätsplatz 3, D-18051 Rostock

Die k-abhängige Stoßionisationsrate der inelastischen Elektron-Elektron-Streuung wird für die Zinkblende-Halbleitermaterialien Si, GaAs, ZnS, GaN unter Berücksichtigung der Bandstruktur berechnet. Die Bandstruktur wird auf dem Niveau einer lokalen empirischen Pseudopotentialmethode (Si, GaAs, ZnS, GaN) bzw. nichtlokalen EPM (ZnS) behandelt. Für die energieabhängige Rate wird eine Interpolationsformel R(E) ähnlich der Keldysh-Formel angegeben. Diese wird in einer Ensemble-Monte-Carlo-Simulation des elektronischen Transports in ZnS berücksichtigt [1]. Die erhaltenen Größen wie z.B. mittlere Elektron-Driftgeschwindigkeit und makroskopischer Ionisationskoeffizient werden mit anderen Rechnungen bzw. experimentellen Daten verglichen [2,3].

[1] M. Reigrotzki et al., J. Appl. Phys. 80 5054 (1996)

[2] K. Brennan, J. Appl. Phys. 64 4024 (1988)

[3] T. D. Thompson, J. W. Allen, J. Phys. C 20, L499 (1987)