Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 33: Photovoltaik

HL 33.1: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 15:30–15:45, H3

Verbesserung der Grenzfläche des Heterokontaktes in CuInS2-Solarzellen — •M. Weber, R. Scheer, J. Jürgens, U. Mazur und H.-J. Lewerenz — Hahn-Meitner-Institut, Bereich CG, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin

Effektive Dünnschichtsolarzellen können hergestellt werden auf Basis von CuInS2 (CIS) mit einer im chemischen Bad abgeschiede- nen CdS-Schicht als Heteropartner. Trotz der großen Bandlücke des CIS von 1.54 eV konnten bislang jedoch nur Leerlaufspannun- gen um 700 mV erreicht werden. Im vorliegenden Beitrag wird die naßchemische Oxidation der CIS-Oberfläche untersucht. Hierfür wurde die chemische Zusammensetzung der oxidierten Oberfläche mit Photoelektronenspektroskopie ermittelt. Den Einfluß der Konzentration der Oxidationslösung auf die Solarzellen- charakteristik belegen Quantenausbeutemessungen. Kennlinien von oxidierten Zellen zeigen einen Anstieg von Leerlaufspannung und Füllfaktor, während der Kurzschlußstrom zurückgeht. Das Verschwinden der Oberflächenphotospannung nach der Oxidation weist auf eine deutlich erhöhte Ladungsträgerkonzentration an der CIS-Oberfläche hin. Die beobachteten Effekte können erklärt werden durch eine Passivierung von Grenzflächenzu- ständen des CIS, zusätzlich reduziert das gebildete Oxid die Gefahr der Bildung von Kurzschlußstrompfaden.