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HL: Halbleiterphysik

HL 33: Photovoltaik

HL 33.16: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 19:15–19:30, H3

Ladungsträgerbeweglichkeiten in Silicium für Solarzellen — •Daniel Biro, Stefan W. Glunz und Wilhelm Warta — Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme, Oltmannsstr. 5, 79100 Freiburg

Der Einflußs der Defektdichte auf die Beweglichkeit der Minoritätsladungsträger in multikristallinem Silicium ist weitgehend ungeklärt. Andererseits ist die Kenntnis dieses Materialparameters sowohl für die Modellierung von Solarzellen als auch für Lebensdauermessungen wichtig. In der vorliegenden Arbeit wird untersucht, inwieweit die Messung der effektiven Lebensdauer optisch generierter Ladungsträger zur Bestimmung der Beweglichkeit herangezogen werden kann. Die effektive Lebensdauer bei Proben mit hochrekombinierenden Oberflächen, wird stark durch die Diffusion der Ladungsträger zur Oberfläche beeinflußst. Zwei Methoden mit unterschiedlicher Oberflächenpräparation werden anhand von Modellrechnungen und Messungen hinsichtlich ihrer Anwendbarkeit überprüft. Insbesondere ist der Einflußs der Volumenlebensdauer auf die Genauigkeit der ermittelten Beweglichkeiten von Bedeutung. Die Methode wird für mono- und multikristallines Material verschiedener Dotierung und Defektdichte eingesetzt.