Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 33: Photovoltaik
HL 33.2: Talk
Thursday, March 20, 1997, 15:45–16:00, H3
Grenzflächenuntersuchungen in ZnO/CdS/CuInSe2 Dünnfilmsolarzellen mittels cw und zeitaufgelöster Photolumineszenz — •B. Teichert1, S. Zott1, K. Leo1, R. Herberholz2 und H.-W. Schock2 — 1Institut für Angewandte Photophysik, Technische Universität Dresden, Mommsenstraße 13, D-01062 Dresden — 2Institut für Physikalische Elektronik, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 47, D-70569 Stuttgart
Trotz der Erfolge von CuInSe2 (CISe) Dünnschichtsolarzellen mit Wirkungsgraden von knapp 18% sind viele, die Funktion der Solarzelle bestimmende Aspekte, wie z.B. der Einfluß der Grenzflächen auf Defekte und Trägerlebensdauern, noch unklar. Wir untersuchen verschiedene Schichtsysteme (CISe–CISe/CdS–CISe/CdS/ZnO) mittels Photolumineszenz (PL) und zeitaufgelöster PL [1]. Im Gegensatz zu reinen CISe Schichten zeigen die Absorber mit Fensterschicht (CdS bzw. CdS/ZnO) ein höheres PL Signal. Zeitaufgelöste PL Messungen sollen klären, ob Grenzflächenzustände die Trägerlebensdauer beeinflussen. Mögliche Modelle zur Interpretation der Meßergebnisse werden diskutiert.
[1] K. Puech, S. Zott, K. Leo, M. Ruckh and H.–W. Schock, to be published in Appl. Phys. Lett.