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HL: Halbleiterphysik

HL 33: Photovoltaik

HL 33.4: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 16:15–16:30, H3

Erhöhung des Wirkungsgrades von (n) a-Si/(p) c-Si Heterosolarzellen — •Dietmar Borchert, Günter Grabosch, Reza Hussein und Wolfgang R. Fahrner — FernUniversität Hagen, Lehrgebiet Bauelemente der Elektrotechnik, Haldener Str. 182, 58084 Hagen

Als ein möglicher Lösungsansatz für die Realisierung hoher Wirkungsgrade bei niedrigen Herstellungskosten wird die a-Si/c-Si Heterosolarzelle diskutiert. Auf der Basis von n-Typ Silizium wurden Wirkungsgrade von über 20 % erreicht, auf p-Typ Silizium konnten Wirkungsgrade über 13% mit einer Struktur der Form Grid/ITO/(n) a-Si/(i) a-Si/(p) c-Si/Al erreicht werden [1]. Zur Erhöhung des Wirkungsgrades stehen mehrere Konzepte zur Verfügung: a) a-Si Schichten mit erhöhtem Bandgap, b) BSF und c) Texturierung. Der Einfluß dieser Lösungsansätze auf den Wirkungsgrad und die Konsequenz für die Herstellungstechnologie werden diskutiert. Es zeigt sich, daß nicht alle oben genannten Konzepte direkt zu einer Erhöhung des Wirkungsgrades führen.

[1]: D. Borchert, G. Grabosch, W. R. Fahrner; 9th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Miyazaki, Nov. 1996