Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 33: Photovoltaik

HL 33.5: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 16:30–16:45, H3

Charakterisierung von Dünnschichtsolarzellen aus amorphem Silizium mittels Photothermischer Deflektions Spekroskopie — •N. Höhne, R. Carius, J. Klomfass und H. Wagner — ISI-PV, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich

Als komplementäre Methode zur Charakterisierung von Dünnschichtsolarzellen aus amorphem Silizium wurde die Photothermische Deflektionsspektroskopie (PDS) untersucht. Mit diesem Verfahren wurde die Wärmeentwicklung d.h. die Verluste in der Solarzelle unter verschiedenen Betriebsbedingungen wie angelegter Spannung, monochromatischer Beleuchtung sowie zusätzlicher Biasbeleuchtung detektiert. Die Leistungskennlinie, die differentielle spektrale Antwort der Zelle im Kurzschlußfall und der spektrale Wirkungsgrad wurden mittels PDS gemessen. Durch nur teilweises Ausleuchten der Zelle und Messung im beleuchteten wie im unbeleuchteten Gebiet, konnten die Anteile der Rekombination, die zum Teil auf der gesamten Zellfläche stattfindet, und der Feldverluste, die nur im beleuchteten Teil auftreten, getrennt von einander beobachtet werden. Ein hohe Genauigkeit und Phasenstabilität ermöglichte, aus dem Phasenversatz zwischen anregendem Lichtsignal und gemessenem Deflektionssignal eine örtliche Verschiebung der Wärmequelle in der Tiefe der Solarzelle festzustellen. Da die Verteilung der Wärmequellen nicht eindeutig aus den Meßergebnissen bestimmt werden kann, werden diese mit Simulationsrechnungen verglichen.