Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 33: Photovoltaik
HL 33.6: Vortrag
Donnerstag, 20. März 1997, 16:45–17:00, H3
Abscheidung von mikrokristallinen Siliziumschichten mit der Layer-by-Layer Technik — •O. Vetterl, P. Hapke, L. Houben, F. Finger, and H. Wagner — Institut f"ur Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum J"ulich GmbH, D-52425 J"ulich
Die Herstellung von mikrokristallinem Si mit plasmagest"utzter CVD unter Verwendung der Layer-by-Layer Technik (LbL) beruht auf einer H2-Plasma induzierten Phasentransformation d"unner amorpher Schichten (ca. 50Å) in kristallines Material [1]. Der Abscheide- und H2-Behand- lungszyklus wird einige Male wiederholt, um Schichten hinreichender Dicke zu erhalten. Eine m"ogliche Anwendung der so hergestellten Schichten ist der Einsatz als Bekeimungsschicht bei der Herstellung von polykristallinen D"unnschicht-Solarzellen. Ziel der vorliegenden Arbeit ist es, m"oglichst gro"sfl"achige homogene kristalline Bereiche zu erzeugen. Insbesondere wird dabei der Einflu"s hoher (VHF) Plasmaanregungsfrequenzen untersucht, die sich f"ur die Herstellung konventionell gewachsener Schichten als vorteilhaft erwiesen haben [2]. Die strukturellen Eigenschaften der LbL Schichten wurden mittels Ramanspektroskopie, Transmissions-Elektronen-Mikroskopie und R"ontgenbeugung charakterisiert. Es zeigt sich, da"s die Verwendung hoher Plasmaanregungsfrequenzen auch die Phasentransformation amorph→ kristallin beg"unstigt.
[1] C. Fortmann, P. Hapke, A. Lambertz, F. Finger, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 420 (1996)
[2] P. Hapke, Doktorarbeit, RWTH Aachen, 1995