Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 33: Photovoltaik
HL 33.8: Vortrag
Donnerstag, 20. März 1997, 17:15–17:30, H3
Elektronische Eigenschaften von epitaktischen CuInS2-Filmen — •C. Schmiga1, J.-H. Bremer1, Th. Hahn1, H. Metzner1, D. Borchert2 und W. R. Fahrner2 — 1II. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, Bunsenstraße 7-9, D-37073 Göttingen — 2Fachbereich Elektrotechnik, FernUniversität Hagen, Haldener Straße 182, D-58084 Hagen
CuInS2 (CIS) ist ein aussichtsreiches Material für den Einsatz als Absorber in der Photovoltaik. Zur heteroepitaktischen Abscheidung dieses ternären Halbleiters wurde ein MBE-Prozeß entwickelt [1]. Dieser ermöglicht die Herstellung einkristalliner dünner Filme auf Si- und CaF2-Substraten. Wir präsentieren erste elektrische Transportmessungen an diesen Filmen im Temperaturbereich zwischen 77 und 300 K. Es gelang, aus ausgesuchten Proben komplette Bauelemente auf einem p/n-Heteroübergang und einer ITO-Antireflexschicht aufzubauen, die Diodenkennlinien zeigen. Die Photoaktivität dieser Proben wurde u. a. mit einem Solarsimulator (AM 1.5) vermessen. Der Einfluß der Stöchiometrie und von strukturellen Defekten der epitaktischen Filme auf ihre elektrischen Eigenschaften wird diskutiert.
[1] H. Metzner, Th. Hahn, J.-H. Bremer und J. Conrad, Appl. Phys. Lett. 69, 1900 (1996)