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HL: Halbleiterphysik
HL 33: Photovoltaik
HL 33.9: Talk
Thursday, March 20, 1997, 17:30–17:45, H3
Strukturelle Untersuchung des Epitaxiesystems CuInS2/Si(111) mit Hilfe von Channelling — •J.-H. Bremer, H. Metzner, Th. Hahn, Chr. Schmiga, and J. Conrad — II. Physikalisches Institut der Universit"at G"ottingen, Bunsenstr. 7-9, 37073 G"ottingen, Germany
CuInS2 ist ein aussichtsreicher Kandidat für die Verwendung als Absorber in Solarzellen. Wir haben daher einen MBE-Prozeß zur Herstellung epitaktischer CuInS2-Schichten entwickelt [1]. Die strukturelle Charakterisierung dieser Schichten erfolgt unter anderem mit Rutherford R"uckstreuung, Channelling und XRD. Die XRD-Messungen zeigen ein ungestörtes epitaktisches Wachstum, Rocking-Kurven weisen Halbwertsbreiten von 0.3∘ (FWHM) auf. Demgegen"uber ergeben Channelling-Messungen vergleichsweise große Minimum Yields von χmin≈40% bei Halbwertsbreiten von ψ1/2≈ 1∘ (HWHM). Dieser Befund steht somit in einem gewissen Widerspruch zu den Ergebnissen der R"ontgenbeugung. Gezeigt wird, daß das Auftreten von Versetzungen und von bin"aren, nanokristallinen Ausscheidungen im Film diese Diskrepanz erkl"aren k"onnen.
[1] H. Metzner, Th. Hahn, J.-H. Bremer, J. Conrad, Appl. Phys. Lett. 69, 1900 (1996).