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Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 36: Poröses Si

Freitag, 21. März 1997, 11:00–13:15, H4

11:00 HL 36.1 Einfluß der Elektrolytzusammensetzung auf die Mikrostruktur von porösem Si — •U. Frotscher, U. Rossow, C. Pietryga und W. Richter
11:15 HL 36.2 Lokale Herstellung von porösem Silizium — •J. Schulze, H. Geiger, H. Baumgärtner und I. Eisele
11:30 HL 36.3 Thermische Oxidation porösen Siliziums bei niedrigen Temperaturen — •J. Schulze, H. Geiger, W. Hansch und I. Eisele
11:45 HL 36.4 Morphologie von leuchtendem Silizium — •Andreas Misera, Hermann Franz, Lucien Saviot, Winfried Petry, Imke Libon und Carsten Voelkmann
12:00 HL 36.5 Optische Wellenleiter aus porösem Silicium — •M. Krüger, T.M. Benson und A. Loni
12:15 HL 36.6 Beugungsgitter aus porösem Silicium — •M. Thönissen, G. Lerondel, R. Romestain, J. C. Vial, M. Krüger und V. Ganse
12:30 HL 36.7 Komplexe Interferenzfilter aus porösem Silicium — •M. Thönissen, M. Krüger, W. Theiß, S. Hilbrich, R. Arens-Fischer und H. Lüth
12:45 HL 36.8 Untersuchung des strukturellen Tiefengradienten in porösem Silicium — •M. Thönissen, M. Krüger, W. Theiß, S. Hilbrich und H. Lüth
13:00 HL 36.9 Poröses amorphes Silizium - spatial confinement vs quantum confinement — •R.B. Wehrspohn, G.H. Bauer, J.-N. Chazalviel, F. Ozanam und I. Solomon
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