Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 36: Poröses Si

HL 36.3: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 11:30–11:45, H4

Thermische Oxidation porösen Siliziums bei niedrigen Temperaturen — •J. Schulze, H. Geiger, W. Hansch und I. Eisele — Institut für Physik, Universität der Bundeswehr München, Werner-Heisenberg-Weg 39, 85577 Neubiberg

Die Erzeugung porösen Siliziums ist besonders in Hinblick auf die Herstellung von SiO2-Schichten interessant, da sich poröses Silizium bereits bei 700 C thermisch oxidieren lässt. Auf diese Weise hergestellte SiO2-Schichten lassen sich als Isolatorschichten für lokale SOI-Strukturen verwenden. Dazu wurde an unserem Institut ein Versuch zur elektrochemischen Herstellung von porösen Siliziumschichten aufgebaut und es galt, den Zusammenhang zwischen der Qualität des Oxides und der Struktur der porösen Schichtzu bestimmen. Dazu wurde in einem ersten Schritt die Abhängigkeit der Porengröße und Dicke der porösen Schicht von der Elektrolysespannung, der Zeit und der Elektrolytkonzentration untersucht. In einem zweiten Schritt wurden die Prozeßparameter der thermischen Oxidation bestimmt. Die Qualität der Oxidschichten wurden mit Hilfe von elektrischen und optischen Messungen ermittelt. Über die gesammelten Erfahrungen wird berichtet.