Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 36: Poröses Si

HL 36.7: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 12:30–12:45, H4

Komplexe Interferenzfilter aus porösem Silicium — •M. Thönissen¹, M. Krüger¹, W. Theiß², S. Hilbrich², R. Arens-Fischer² und H. Lüth¹ — ¹Institut für Schicht- und Ionentechnik (ISI), Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich — ²I. Physikalisches Institut der RWTH Aachen, D-52056 Aachen

Mit Hilfe der Stromvariation des Ätzstromes in der Tiefe können im porösen Silicium Schichten verschiedener Porosität und damit Schichten mit verschiedenem Brechungsindex untereinander hergestellt werden. Dabei ist sowohl eine diskrete Variation der Mikrostruktur als auch eine graduelle Änderung dieser möglich. Ersteres führt bei geeigneter Parameterwahl zur Herstellung von Interferenzfiltern, die als Bragg-Reflektoren bzw. als Fabry-Perot Filter bekannt sind. Ein weitaus größeres technisches Anwendungspotential wird durch die graduelle Änderung der Porosität mit der Tiefe eröffnet: Für die sog. Rugate Filter wird mit Hilfe einer Fourier-Transformation eine Umsetzung des spektralen Reflexionsverlaufes in eine Änderung des Brechungsindexes mit der Filtertiefe realisiert. Es wird so ein fast freies Design von Filtern mit gewünschten Reflektionsspektren möglich.