Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 36: Poröses Si
HL 36.9: Talk
Friday, March 21, 1997, 13:00–13:15, H4
Poröses amorphes Silizium - spatial confinement vs quantum confinement — •R.B. Wehrspohn1, G.H. Bauer1, J.-N. Chazalviel2, F. Ozanam2 und I. Solomon2 — 1Fachbereich Physik, Carl von Ossietzky Universität Oldenburg, 26111 Oldenburg — 2Laboratoire PMC, Ecole Polytechnique, 91128 Palaiseau cedex, France
Bor-dotiertes amorphes hydrogenisiertes Silizium (a-Si:H) kann durch Anodisation in HF micro-porös gemacht werden. Das poröse a-Si:H hat ebenso wie die kristalline Variante eine hohe spezifische Oberfläche und ist mit Wasserstoff überzogen. Eine hohe Photolumineszenzintesität bei Raumtemperatur kann bei ca. 1.5eV gemessen werden. Im Gegensatz zu porösem kristallinem Silizium kann das Photolumineszenzmaximum bei in-situ Messungen kaum variiert werden [1]. Dies zeigt, daß die strahlenden Zustände im porösem a-Si:H kaum Lokalisierungseffekte spüren. Die Ursache für die hohe Photolumineszenzintensität sehen wir daher in sog. ’spatial confinement’ und nicht, wie in porösem kristallinem Silizium, in quantum confinement.
[1] R.B. Wehrspohn, J.-N. Chazalviel, F. Ozanam, I.Solomon, Phys. Rev. Lett. 77, 1885 (1996)