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HL: Halbleiterphysik

HL 37: Devices (elektrisch)

HL 37.7: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 12:30–12:45, H3

Rauscheigenschaften von In-Plane-Gate-Transistoren im Bereich niedriger Frequenzen — •P. Stelmaszyk, J. Koch, and A.D. Wieck — Lehrstuhl f"ur Angewandte Festk"orperphysik, Ruhr-Universit"at Bochum, Universit"atsstra"se 150, 44780 Bochum

Als Ausgangsmaterial f"ur die Herstellung von IPG-Transistoren verwenden wir n-leitende AlGaAs-Heterostrukturen. Diese k"onnen wir unter Verwendung eines Ga-Ionenstrahls gezielt lokal p-dotieren und damit isolierende Linien in der leitf"ahigen Schicht erzeugen. Mittels dieser Linien werden 1D-Kanalstrukturen geformt, die sich "uber einen rein lateralen Feldeffekt in ihrer Stromleitfähigkeit steuern lassen. "Ubliche Kanalbreiten liegen im Bereich von 1 µm mit typischen Kanalwiderständen in der Gr"o"senordnung von einigen kΩ.
Wir charakterisieren das Rauschverhalten dieser Kan"ale im Frequenzbereich von 1 Hz bis 100 kHz unter Variation der angelegten Source-Drain-Spannung und der Gate-Spannung, die im negativen Spannungsbereich den Strompfad v"ollig abschn"uren kann.
Die erzielten Ergebnisse werden mit handels"ublichen Sperrschicht Feldeffekttransistoren verglichen und in Relation zu den beteilgten Devicefl"achen gesetzt.