Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 37: Devices (elektrisch)

HL 37.8: Talk

Friday, March 21, 1997, 12:45–13:00, H3

Akustoelektrische Wechselwirkungen in Halbleiter/Piezoelektrikum Hybridstrukturen — •M. Rotter, A. Wixforth und J.P. Kotthaus — Sektion Physik, Ludwig-Maximilians-Universität München, D-80539 München

Die Wechselwirkung akustischer Oberflächenwellen mit Elektronensystemen in Halbleiterschichtstrukturen wird in neuartigen Hybridsystemen auf GaAs/LiNbO3-Basis eingehend untersucht. Wir verwenden die Methode des Epitaktischen Lift-off, um die aktive Schicht einer Halbleiter- Quantentopfstruktur mit einer piezoelektrischen Oberflächenwellen- Verzögerungsleitung zu hybridisieren. Die resultierende Wechselwirkung ist um zwei Größenordnungen gegenüber der auf einer monolithischen Halbleiterstruktur verstärkt, so daß sich diverse technologisch interessante aber auch grundlegende Anwendungen ergeben. Eine Möglichkeit stellt zum Beispiel eine in weiten Grenzen elektrisch abstimmbare Verzögerungsleitung dar, bei der ein GaAs/AlGaAs-Feldeffekt-Transistor epitaktisch abgehoben und mit einer LiNbO3 -Verzögerungsleitung hybridisiert wird. Die Flächenleitfähigkeit des Elektronensystems im Halbleiter beeinflußt die effektiven elastischen Konstanten. Somit kann mit einer Feldeffektspannung im Voltbereich die Ausbreitungsgeschwindigkeit der Oberflächenwelle gesteuert werden.